MOSFET à densité de puissance élevés pour l’automobile
Proposé en boîtier PQFN compact de 5 x 6 mm, ce MOSFET utilise la technologie propriétaire en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée et affiche une résistance à l’état passant Rds(on) de seulement 3,3 mOhm tout en supportant des courants allant jusqu’à 95 A. Le boîtier PQFN présente une broche étamée étendue assurant une meilleure soudure et simplifiant l’inspection de celle-ci.
Ce transistor de puissance autorise une réduction de l’encombrement de plus de 50 % par rapport aux solutions conventionnelles en boîtier DPAK (TO-252), et des performances thermiques améliorées de manière significative par rapport au boîtier SO-8. Il constitue ainsi une solution ultra-compacte, à rendement et densité élevés, pour les applications automobiles.
Dans le cadre de l’initiative qualité automobile visant le zéro défaut, les MOSFET automobiles de ce fabricant sont tous soumis à des tests statiques et dynamiques, combinés à 100% d’inspection visuelle des Wafers entièrement automatisée. En outre, les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20 % après un millier de cycles de test en température.
Ainsi, ce composant est conforme aux standards AEC-Q101 et utilise des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS.
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