Microcontrôleurs avec e-flash en technologie 28 nm pour l’automobile
Renesas et TSMC ont déjà collaboré sur les microcontrôleurs avec de la mémoire Flash intégrée depuis la génération en technologie 90 nm. Ils ont continué ensuite avec la production en 40 nm et sur leur lancée, les deux parenaires étendent leur collaboration à la technologie 28 nm. Grâce à cette collaboration, la technologie métal-oxyde-nitrure-oxyde-silicium (monos) eFlash très fiable et rapide de Renesas va se combiner avec les microcontroleurs haute performance et faible consommation de TSMC, pour de multiples applications en automobile telles que la gestion des capteurs, la gestion des différentes unités de contrôle électronique, la gestion de la consommation de carburant pour les véhicules verts, ou encore le contrôle des onduleurs sur les véhicules électriques.
Il y a par ailleurs un besoin de mémoire flash de grande capacité pour répondre de manière plus précise aux règlements et aux normes environnementales de divers pays. La technologie d’intégration de mémoire flash dans un microcontrôleur, avec des performances élevées et une excellente sécurité de fonctionnement est également adaptée aux besoins de l’industrie 4.0. Cette technologie en 28 nm répondra aux besoins de la prochaine génération d’informatique automobile en multipliant par 4 la capacité mémoire embarquée, par rapport à la technologie 40 nm. Ces nouveaux microcontrôleurs utilisent plusieurs cœurs de processeurs, une sécurité augmentée et le support d’interface multiples
La technologie Métal-oxyde-nitrure-oxyde-silicium (monos) de Renesas qui intègre la flash est une structure dans laquelle chaque transistor de la cellule flash est constitué de trois couches d’oxyde, de nitrure et d’oxyde sur une base de silicium, avec en tête une porte de commande.
Renesas a plus de deux décennies d’expérience dans l’utilisation de la technologie monos en mémoire flash.
Renesas; renesas.com – TSMC; www.tsmc.com
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