Mémoire flash NAND 16 Gbits en boîtier TSOP
Cet ajout à la gamme signifie que les concepteurs peuvent désormais bénéficier du rapport prix/performance offert par la technologie flash NAND SLC 24 nm propriétaire pour toutes les capacités de 1 Gbits à 128 Gbits.
Comme les autres membres de la famille, ce dispositif offre une combinaison de hautes performances en lecture/écriture, d’une bonne endurance à l’écriture grâce au code de correction d’erreur BCH à 8 bits, et d’une plage de température opérationnelle étendue. Ceci en fait un candidat bien adapté à toute une série d’applications commerciales et industrielles.
L’engagement de l’entreprise à supporter la technologie flash SLC 24 nm, permet aussi aux concepteurs industriels de choisir cette technologie en toute confiance pour les applications nécessitant une certaine longévité de production.
Cette mémoire est basée sur une puce 4 x 4 Gbits et fonctionne à partir d’une tension de 2.7 V à 3.3 V. Sa plage de température opérationnelle s’étend de -40 °C à +85 °C.
www.toshiba.semicon-storage.com
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