Les transistors de puissance YAGEO XSemi chez Rutronik : performance et polyvalence
Le portefeuille de transistors de puissance proposé par Rutronik comprend les MOSFETs de puissance de la gamme YAGEO XSemi. Ces composants se distinguent par une faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et une grande rapidité de commutation, ce qui les rend adaptés à de nombreuses applications analogiques et numériques.
En plus de leur efficacité énergétique et de leur rentabilité, la série XSemi propose une variété de boîtiers pour répondre aux exigences spécifiques de chaque application. Ces composants sont largement utilisés dans les applications industrielles et commerciales en montage en surface.
Les MOSFETs de puissance YAGEO sont disponibles en versions haute et basse tension sur www.rutronik24.com.
Grâce à la gamme XSemi et à une large sélection de MOSFETs éprouvés pour les applications AC/DC et DC/DC, YAGEO propose des solutions économiques et fiables pour presque tous les besoins. Le fabricant dispose également d’un vaste portefeuille de composants passifs. Son modèle économique « fabless » et sa chaîne d’approvisionnement de classe mondiale lui ont permis de livrer plus de 33 milliards de composants de haute qualité au cours des 25 dernières années.
Aperçu des types de canaux disponibles :
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N-Channel : 20 V à 700 V, jusqu’à 300 A de courant de fuite (VGS à 10 V)
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P-Channel : 20 V à 700 V, jusqu’à 300 A de courant de fuite
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Double N-Channel : 100 V, jusqu’à 2,1 A de courant de fuite
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N-Channel asymétrique : 30 V, jusqu’à 85 A de courant de fuite
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N- et P-Channel complémentaires : 16 V, 30 V, 100 V, jusqu’à 12 A de courant de fuite
Caractéristiques supplémentaires :
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Boîtiers CMS (TO-22, TO-25, TO-26, SOT-23)
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Conformes RoHS et sans halogène
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Faible charge de grille
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Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Applications typiques :
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Applications basse tension
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Alimentations à découpage
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Applications industrielles et commerciales en CMS
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Systèmes de télécommunication
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Électronique grand public
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