Le GaN sur silicium bientôt généralisé comme semiconducteur RF ?
Dans un premier temps, MACOM a annoncé un accord de licence et d’approvisionnement en wafers épitaxiés (épi) qui permettra à IQE, le plus grand fournisseur de composants semi-conducteurs épitaxiés, de fabriquer du GaN sur silicium épitaxié dans des diamètres de 4, 6 et 8 pouces à grande échelle pour les applications RF. Cette action doit lui permettre de fournir des produits GaN RF dotés d’une largeur de bande et d’une efficacité révolutionnaires au coût d’une structure classique de silicium de 8 pouces.
En outre, MACOM a annoncé être en pourparlers pour fournir la technologie GaN sur silicium à des entreprises sélectionnées qui l’emploieront dans des applications RF. MACOM a la conviction que l’établissement de sources de production de wafers d’un diamètre si élevé constituera un jalon de taille dans l’adoption commerciale et la généralisation de la technologie GaN. La sécurité de l’approvisionnement est d’une importance cruciale pour les marchés dépendants d’amplificateurs de puissance tels que les stations de base cellulaires. Selon les analyses stratégiques, les recettes générées par les transistors d’amplification de puissance sur les stations de base atteindront plus d’1 milliard de dollars en 2014.
" Nous sommes sur le point de vivre un moment révolutionnaire pour le secteur RF & micro-onde, qui augure des performances inédites pour les composants semi-conducteurs et l’exploitation des sites de production de silicium à grande échelle pour aboutir sur d’amples économies d’échelle ", affirme John Croteau, président et directeur général de MACOM. " Nous croyons que notre récente acquisition de Nitronex et son portefeuille de droits IP fondamentaux liés aux matériaux, processus et technologie GaN sur silicium nous fournit la base d’un programme de licence qui nous permettra de concrétiser notre vision de la généralisation des performances GaN au coût des structures de silicium de 8 pouces. "
En tant que premier fournisseur mondial de composants semi-conducteurs épitaxiés, IQE approvisionne actuellement plus de 50 % des wafers RF épitaxiés du monde. IQE possède les ressources de production indépendante de composants semi-conducteurs épitaxiés les plus importantes au monde, ce qui lui permet de réaliser d’importantes économies d’échelle et contribue à favoriser la fabrication des wafers et la structure de coûts nécessaires à l’expansion du marché du GaN.
" Nous commençons à voir un véritable engouement pour le GaN dans le secteur des composants semi- conducteurs, et ce dans une vaste gamme d’applications ", ajoute Drew Nelson, président et directeur général d’IQE. " Notre accord avec MACOM nous permet de renforcer notre entrée sur ce nouveau marché en apportant une expérience de plusieurs décennies de production à grande échelle, ce qui permet de créer la chaîne d’approvisionnement nécessaire à l’accélération de l’adoption de la technologie GaN. C’est avec plaisir que nous abordons ce partenariat durable et significatif. "
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