La tension de tenue de grille élevée de 8 V de ROHM marque une percée technologique
ROHM a développé la technologie de tension de claquage de la grille (tension nominale grille-source) la plus haute de l’industrie (8 V) pour les appareils GaN HEMT 150 V, optimisés pour les circuits d’alimentation dans les équipements industriels et de communication.
Ces dernières années, en raison de la demande croissante de systèmes de serveurs pour répondre au nombre croissant d’appareils IdO, l’amélioration de l’efficacité de la conversion de puissance et la réduction de la taille sont devenues d’importants enjeux sociétaux qui nécessitent de plus amples avancées dans le secteur des appareils d’alimentation.
En plus de la production en série de dispositifs SiC de pointe et de nombreux dispositifs à base de silicium riches en fonctionnalités, ROHM a développé des appareils GaN présentant un fonctionnement haute fréquence supérieur dans la gamme des tensions moyennes. Le développement d’une technologie qui augmente la tension nominale grille-source permet à ROHM de proposer un plus large éventail de solutions d’alimentation pour de nombreuses applications.
Comme les appareils GaN offrent des caractéristiques de commutation améliorées et une résistance à l’état passant plus faible que les appareils à base de silicium, ils devraient contribuer à réduire la consommation d’énergie et à améliorer la miniaturisation des alimentations de commutation utilisées dans les stations de base et les centres de données. Toutefois, les inconvénients qui incluent une basse tension grille-source nominale et une tension de dépassement excédant la cote maximale durant la commutation posent des défis majeurs à la fiabilité des appareils.
Pour y répondre, ROHM a réussi à augmenter la tension nominale grille-source typique de 6 V à 8 V en utilisant une structure originale. Cela permet à la fois d’améliorer la marge de conception et d’augmenter la fiabilité des circuits d’alimentation à l’aide d’appareils GaN qui nécessitent une efficacité élevée. En plus de maximiser les performances de l’appareil avec une faible inductance parasitaire, nous développons également un boîtier dédié qui facilite le montage et offre une excellente dissipation de chaleur, permettant un remplacement facile d’appareils au silicium existants tout en simplifiant la manipulation pendant le processus de montage.
À l’avenir, ROHM accélérera le développement d’appareils GaN basés sur cette technologie, l’expédition d’échantillons étant prévue pour septembre 2021.
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