La mémoire PCM disponible sur le process18nm FDSOI
STMicroelectronics a été le principal promoteur de la mémoire à changement de phase (PCM) pour la mémoire embarquée sur les microcontrôleurs, en particulier pour les applications automobiles. Il défend la technologie depuis au moins 2017 et a échantillonné des microcontrôleurs sur son propre processus de fabrication de silicium sur isolant entièrement appauvri (FDSOI) en 28 nm en 2018.
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Jusqu’au nœud de 40 nm, la mémoire non volatile de choix était la « flash », mais il y a des problèmes pour passer en dessous de 40 nm en partie en raison du besoin de hautes tensions et de la zone de puce occupée par les pompes de charge pour mettre en œuvre des tensions élevées. À présent, ST et Samsung proposent une migration vers le FDSOI 18 nm pour les applications de microcontrôleur de pointe, y compris les applications de type en marche en permanence ( always on).
La fonderie Samsung Foundry propose déjà des FDSOI 28 nm et 18 nm. Le FDSOI 28 nm a l’option de MRAM intégrée tandis que le FDSOI 18 nm n’a actuellement pas d’offre de mémoire embarquée. Il se peut que Samsung fabrique déjà du FDSOI-plus-PCM en 28 nm pour ST et fabriquera également du FDSOI-plus-PCM en 18 nm pour ST sur une base propriétaire. Mais il est également possible que Samsung commence à offrir à ses autres clients le 18 nm FDSOI-plus-PCM à l’avenir. Les auteurs décrivent la plate-forme comme atteignant l’objectif de performances pour les MCU de nouvelle génération.
www.stmicroelectronics.com; www.samsung.com
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