La mémoire flash QLC de 2 To est idéale pour l’IA
Kioxia a annoncé avoir commencé les livraisons d’échantillons de composants mémoire Quad-Level-Cell (QLC) de 2 To dotés de sa technologie de mémoire flash BiCS FLASHTM 3D de huitième génération.
Avec sa dernière technologie BiCS FLASHTM, Kioxia est parvenue à une mise à l’échelle verticale et latérale des mémoires grâce à des processus propriétaires et à des architectures innovantes. En outre, la société a mis en œuvre la technologie révolutionnaire CBA (CMOS directly Bonded to Array), qui permet de créer des produits à plus haute densité, avec une vitesse d’interface de 3,6 Gbps, la plus élevée de l’industrie. Ces technologies de pointe sont associées pour la création de 2Tb QLC et permettent de plus grande capacité.
La mémoire flash QLC de 2 To est dotée d’une densité de bits d’environ 1,5 Mo. et une efficacité d’écriture d’env. 70 % de plus que l’actuel dispositif QLC de cinquième génération de Kioxia,. Capacité la plus élevée des produits de Kioxia. Avec une architecture empilée à 16 éléments dans un seul boîtier de mémoire, ce dernier module QLC atteint une capacité de 4 To (téraoctets), la plus élevée de l’industrie. Il est disponible dans un boîtier de 11,5 x 13,5 mm, d’une hauteur de 1,5 mm.
« Haute densité de bits, transfert de données à grande vitesse, efficacité énergétique supérieure, le produit 2Tb QLC ouvre des portes aux applications d’IA qui émergent et aux grandes applications de stockage qui exigent des économies d’énergie et d’espace », a déclaré Hideshi Miyajima, directeur de la technologie de Kioxia.
Outre la mémoire QLC de 2 To, Kioxia a également ajouté à son portefeuille des mémoires flash QLC de 1 To qui seront déployées dans des applications à haute performance, notamment les SSD clients et les applications mobiles.
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