IQE et Quinas industrialisent la mémoire ULTRARAM
IQE, spécialiste britannique des semi-conducteurs composés, et Quinas Technology, innovateur dans le domaine des mémoires émergentes, ont achevé un projet de 1,1 million de livres sterling financé par Innovate UK et visant à industrialiser ULTRARAM, une nouvelle technologie de mémoire universelle. Cette conclusion positive marque une étape clé dans la commercialisation de la première mémoire à énergie quantique au monde et positionne le Royaume-Uni à l’avant-garde du développement des mémoires de nouvelle génération.
Le projet de 12 mois, dirigé par Quinas et impliquant les universités de Lancaster et de Cardiff, visait à faire passer ULTRARAM de la recherche à l’échelle du laboratoire à un processus industriel permettant la production de masse. IQE a mis au point une méthode de fabrication pour faire croître les structures complexes de semi-conducteurs composés qui sous-tendent ULTRARAM sur une plate-forme industrielle, en se concentrant sur l’épitaxie de l’antimoniure de gallium et de l’antimoniure d’aluminium – des capacités qui n’étaient pas encore disponibles à l’échelle commerciale pour les dispositifs de mémoire.
« Nous avons atteint avec succès notre objectif de développer un processus d’épitaxie évolutif pour ULTRARAM, une étape importante vers la production industrielle de puces en boîtiers », a déclaré Jutta Meier, PDG d’IQE, dans un communiqué. « Ce projet représente une occasion unique de donner vie à la prochaine génération de matériaux semi-conducteurs composés au Royaume-Uni, et nous sommes fiers de notre travail avec Quinas, les universités de Lancaster et de Cardiff pour faire progresser la production commerciale et créer des dispositifs de mémoire universels de premier plan. »
Inventé à l’université de Lancaster, ULTRARAM promet une fusion de la vitesse et de l’endurance de type DRAM avec la non-volatilité de la mémoire flash, tout en offrant des gains spectaculaires en termes d’efficacité énergétique. Ses applications potentielles couvrent les charges de travail de l’intelligence artificielle, les appareils mobiles, les centres de données, l’informatique quantique et la défense, ce qui en fait un atout stratégique pour les capacités de mémoire souveraine.
« Ce projet marque un tournant dans le parcours qui mène de la recherche universitaire aux produits de mémoire commerciaux », a déclaré James Ashforth-Pook, PDG de Quinas Technology, dans le communiqué. « Avec les capacités industrielles d’IQE et le soutien d’Innovate UK, nous avons franchi une étape cruciale dans la construction d’une capacité souveraine dans le domaine des mémoires – le segment le plus stratégiquement vital et pourtant sous-représenté de la pile de semi-conducteurs du Royaume-Uni. Le potentiel d’ULTRARAM à améliorer radicalement l’efficacité énergétique dans les applications d’IA, mobiles et de centres de données positionne la Grande-Bretagne comme un leader dans l’innovation de la mémoire de nouvelle génération. »
Le projet étant maintenant terminé, Quinas et IQE étudient les moyens de travailler avec les fonderies et les partenaires stratégiques potentiels pour faire progresser ULTRARAM vers la production pilote. Cette initiative s’inscrit dans le cadre de la stratégie du gouvernement britannique en matière de semi-conducteurs, qui donne la priorité à l’innovation et à la résilience dans les technologies critiques des semi-conducteurs, telles que les mémoires.
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