Infineon ajoute une diode H7 650V IGBT
Infineon Technologies a élargi sa famille d’IGBT TRENCHSTOP de 7ème génération avec une variante 650V H7.
Les dispositifs IGBT H7 sont dotés d’une diode EC7 co-packed avec une conception avancée de contrôle de l’émetteur, associée à une technologie à grande vitesse pour répondre au besoin croissant de solutions d’alimentation respectueuses de l’environnement et hautement efficaces.
L’IGBT7 H7 utilise la dernière technologie de tranche à micro-motifs pour améliorer le contrôle et les performances du dispositif, ce qui permet de réduire considérablement les pertes, d’améliorer le rendement et d’augmenter la densité de puissance. Ce dispositif est destiné aux onduleurs de branche, aux systèmes de stockage d’énergie (ESS), aux applications de recharge des véhicules électriques et aux applications traditionnelles telles que les onduleurs industriels et le soudage.
Dans un boîtier discret, le H7 peut délivrer de 40 A à 150 A. Il est proposé dans quatre types de boîtiers différents : TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus et TO-247-4 Plus.
La variante TO-247-3 HCC du H7 se caractérise par une distance de fuite élevée. Pour améliorer les performances, les boîtiers Kelvin TO-247 à 4 broches réduisent les pertes de commutation, mais offrent également des avantages supplémentaires tels qu’un dépassement de tension plus faible, des pertes de conduction minimisées et la perte de courant inverse la plus faible. Cela simplifie la conception et minimise la nécessité de connecter des dispositifs en parallèle.
L’IGBT 650V H7 présente également une résistance robuste à l’humidité pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles et est qualifié pour une utilisation industrielle conformément aux tests pertinents de JEDEC47/20/22, en particulier HV-H3TRB, ce qui le rend bien adapté aux applications extérieures.
Le TRENCHSTOP IGBT 7 H7 peut être commandé dès maintenant. En outre, des échantillons de qualification sont disponibles.
www.infineon.com/discreteigbt7
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