IGBT 600 V ultra-rapides
Tirant parti d’une technologie de tranchées sur substrat fin pour réduire les pertes en conduction et en découpage, ces composants sont encapsulés avec une diode à recouvrement doux à faible Qrr, supportent une commutation ultra-rapide de 8 à 30 kHz et des courts-circuits de 5 µs. Ces IGBT offrent également une faible tension VCE(ON) typique de 1.65 V et un coefficient de température positif simplifiant leur mise en parallèle. La gamme couvre des courants IC allant de 30 à 160 A à 100 °C. Elle est aussi caractérisée par une fréquence de découpage élevée, une température de jonction maximale de 175 °C et de faibles émissions électromagnétiques (EMI), d’où une fiabilité accrue, un rendement système supérieur et des performances plus robustes en régime transitoire.
Encapsulés en boitiers TO-247 ou Super TO-247, ces composants sont conformes aux normes RoHS.
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