IGBT 1350 V amélioré pour appareils ménagers
Les caractéristiques de pertes par conduction à haute température (TC = 100°C) de l’IGBT et de la diode étant améliorées, le dispositif présente un rendement supérieur. En outre, la très bonne résistance thermique jonction-boîtier (Rth(j-c)) de 0,48℃/W facilite la conception thermique, puisqu’elle réduit la chaleur dissipée d’environ 26% par rapport aux dispositifs existants. Le nouveau GT20N135SRA de Toshiba est capable de supprimer le courant de court-circuit grâce à un condensateur de résonance qui est généré au démarrage du dispositif. La valeur crête du courant de court-circuit de ce nouvel IGBT est de 129 A, soit près d’un tiers de moins que les produits existants.
La fenêtre d’utilisation sûre (SOA pour Safe Operating Area) du dispositif est élargie, ce qui signifie que cet IGBT est moins susceptible de défaillance en conditions normales d’utilisation, ce qui laisse plus de souplesse aux concepteurs.
Conditionné en boîtier TO-247 standard, ce dispositif peut supporter un courant collecteur (IC) maximum de 40 A, ramené à 20 A à 100℃.
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