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IGBT 1200 V à haut rendement et grande robustesse

IGBT 1200 V à haut rendement et grande robustesse

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Par eeNews Europe



Ces transistors supportent des courants allant de 8 A à 60 A suivant les références, avec une tension V CE(ON) typique de 1,7 V et un délai de court-circuit de 10 µs afin de réduire la dissipation d’énergie et d’améliorer la densité de puissance et la robustesse.
La technologie Gen 8 apporte des caractéristiques de coupure plus douces, bien adaptées aux applications de commande de moteur, réduisant le dv/dt et donc les émissions électromagnétiques, ainsi que les surtensions, ce qui renforce ainsi la fiabilité et la robustesse. En outre, la distribution plus serrée des paramètres améliore le partage de courant lors de la mise en parallèle de plusieurs IGBT. Enfin, la technologie à substrat fin renforce la résistance thermique, avec une température de jonction maximale allant jusqu’à 175 °C.
Bien sûr, ces composants sont conformes RoHS.
"Avec le développement de cette nouvelle technologie et de cette plateforme silicium IGBT à l’état de l’art, IR souligne des décennies d’engagement pour l’avancée de l’électronique de puissance. Notre objectif est que tous les moteurs électriques utilisent le redressement pour un usage plus efficace et plus écologique de l’énergie électrique," explique Alberto Guerra, vice-président chargé du marketing stratégique pour les produits d’économie d’énergie chez IR.
"La plateforme IGBT Gen 8 d’IR constitue une technologie de premier choix pour les applications industrielles. Avec une tension V CE(ON) et une robustesse sans équivalent et d’excellentes caractéristiques en découpage, cette plateforme IGBT a été spécialement optimisée pour répondre aux exigences du marché industriel," ajoute Llewellyn Vaughan-Edmunds, responsable marketing pour les produits d’économie d’énergie chez IR.

www.irf.com

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