HEXFET 25 V à forte densité de puissance
Ces composants embarquent la dernière génération de technologie silicium propriétaire dans un boîtier PQFN 5 x 6 mm pour une densité de puissance encore inégalée dans ce format. Ils intègrent un FETKY monolithique et bénéficient d’une technologie de pointe à puce retournée assurant une dissipation efficace de la chaleur depuis la source, les MOSFET synchrones, directement vers les plages de masse du circuit imprimé. Grâce à ces performances thermiques améliorées et à la densité de puissance supérieure, un seul de ces composants doubles de 5 x 6 mm peut remplacer deux composants simples de même taille. Ce boîtier tire également profit de la technologie propriétaire à agrafe cuivre Copper Clip, déjà utilisée au sein des produits PowIRStage et SupIRBuck, et d’une couche optimisée qui réduit de manière significative l’inductance parasite pour limiter les oscillations. Cela donne la possibilité aux concepteurs d’utiliser des MOSFET 25 V à la place de composants 30 V moins efficaces.
Optimisés pour les applications de commande de grille 5 V, ces deux circuits fonctionnent avec tout contrôleur ou pilote (Driver). Ils combinent une grande flexibilité de conception, avec un courant, un rendement et des fréquences supérieures dans un plus faible encombrement que les approches alternatives utilisant deux MOSFET de puissance 30 V discrets.
www.irf.com/whats-new/nr130801.html
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