Etages de puissance à FET en GaN prêts à l’emploi de 600 V
Nouveaux produits
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Par
Alain Dieul
Ces circuits simplifient la conception des systèmes, améliorent leur fiabilité et optimisent les performances des alimentations haute tension. Les fonctions intégrées de limitation de courant et de détection des surchauffes en moins de 100 ns évitent les appels de courant inattendus et les claquages thermiques. De plus, les signaux affichés sur l’interface offrent une fonction d’autosurveillance. Les étages de puissance intégrés en GaN doublent la puissance volumique et réduisent de 80 % les pertes par rapport à des transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Chaque composant assure des fréquences de commutation rapides à 1 MHz et une vitesse de balayage pouvant atteindre 100 V/ns.
Etages de puissance à FET en GaN prêts à l’emploi, de 600 V
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