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DRAM 4 Gb à gravure de classe 30 nm en production

DRAM 4 Gb à gravure de classe 30 nm en production

Nouveaux produits |
Par eeNews Europe



Samsung a développé la DRAM LPDDR2 de 4 Gb en décembre de l’année dernière et a lancé sa production en masse au début de ce mois. Comparée à la précédente DRAM LPDDR2 2 Gb de classe 40 nm, la DRAM LPDDR2 4 Gb de classe 30 nm augmente la productivité de 60 %. Cette nouvelle puce permet une vitesse de transmission des données de 1066 Mbps, soit plus du double des MDDR actuelles, qui fonctionnent à des vitesses comprises entre 333 et 400 Mbps. En outre, la puce permet une solution mémoire avec des boîtiers plus minces. Avec les précédentes puces de densité la plus élevée, soit 2 Gb, quatre puces devaient être empilées pour obtenir un ensemble  LPDDR2 de 1 Go (8 Gb). Avec la nouvelle LPDDR2 4 Gb, on obtiendra la même densité en n’empilant que deux puces, et en réduisant la hauteur du progiciel de 1,0 mm à 0,8 mm (soit 20 %). Elle consomme également 25 % d’énergie en moins.
Samsung envisage la production de la puce LPDDR2 4 Gb basée sur les modules 1 Go (8 Gb) au début de ce mois-ci et celle des modules 2 Go (16 Gb) comprenant quatre périphériques de 4 Gb le mois suivant pour répondre au besoin croissant de solutions mobiles DRAM haute densité.
Samsung prévoit que les nouvelles solutions à base de LPDDR2 4 Gb représenteront un énorme bénéfice pour les fabricants de périphériques mobiles car elles permettront le lancement de produits compétitifs utilisant des processeurs à double cour, qui nécessitent une mémoire mobile avec une meilleure performance et plus de densité. Selon iSuppli, les livraisons de téléphones intelligents moyenne et haut de gamme vont augmenter à une vitesse annuelle de 18 % environ de 2009 à 2014. C’est le signe d’un développement considérable du marché global des DRAM mobiles, qui pourrait enregistrer une croissance pouvant atteindre 64 pour cent au cours de la même période.

www.samsung.com/GreenMemory.

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