Double MOSFET de puissance
L’IRFH4257D bénéficie de la dernière génération de technologie silicium et d’encapsulation propriétaire d’IR, offrant ainsi d’excellentes performances thermiques ainsi qu’une résistance à l’état passant (RDS(on)) et une charge de grille (Qg) réduites. Il délivre ainsi une densité de puissance supérieure et des pertes en découpage limitées, le tout dans un boîtier compact mesurant 4×5 mm. Comme tous les composants FastIRFET d’IR, l’IRFH4257D peut fonctionner avec n’importe quel contrôleur ou pilote, et constitue donc une solution flexible tout en délivrant un courant, un rendement et une fréquence de découpage supérieurs dans les applications mono et multiphases. Grâce à l’ajout de l’IRFH4257D, les concepteurs ont désormais le choix d’un boîtier PQFN 4×5 mm ou 5×6 mm pour répondre au mieux aux besoins de leur application.
L’IRFH4257D est compatible avec les gammes industrielles, garanti sans plomb et conforme aux standards RoHS et MSL1 (sensibilité à l’humidité de niveau 1), et utilise des matériaux respectueux de l’environnement.
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