Diodes Schottky au carbure de silicium 700 V et 1200 V pour applications automobiles

Diodes Schottky au carbure de silicium 700 V et 1200 V pour applications automobiles

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Face à la multiplication des véhicules électriques dans le monde, des technologies d’alimentation innovantes comme la technologie SiC (carbure de silicium) sont requises pour les systèmes automobiles à haute tension, des moteurs aux stations de chargement à bord des véhicules en passant par les convertisseurs DC-DC. Microchip Technology Inc. annonce des composants d’alimentation SBD, des diodes Schottky SiC 700 V et 1200 V récemment certifiées, offrant aux développeurs de systèmes de véhicules électriques des solutions qui respectent les normes de qualité automobile strictes tout en proposant un large éventail d’options de tensions, de courants et de boîtiers.
Par Alain Dieul

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Pour les développeurs de systèmes destinés aux véhicules électriques (développeurs EV) qui doivent augmenter l’efficacité système tout en maintenant une qualité élevée, les composants certifiés AEC-Q101 de Microchip permettent de maximiser la fiabilité et la robustesse du système et de garantir une durée de vie de l’application stable et durable. Les multiples performances inégalées des composants permettent aux développeurs d’avoir moins recours à des circuits de protection externes, réduisant ainsi les coûts système et leur complexité.

« En tant que fournisseur de longue date de l’industrie automobile, le développement permanent de nouvelles solutions d’alimentation qualifiées pour l’automobile par Microchip montre la voie pour la transformation des systèmes d’alimentation sur les véhicules électriques », explique Leon Gross, vice-président du département des produits discrets chez Microchip. « Notre objectif est de fournir des solutions automobiles qui aident nos clients à opérer facilement la transition vers les composants au carbure de silicium (SiC) tout en minimisant les risques pour la qualité, tout comme les problèmes d’approvisionnement et de support technique. »

Grâce aux tests effectués par Microchip et par des organismes tiers, des indicateurs de fiabilité critiques ont montré que les composants de Microchip affichent des performances supérieures par rapport à d’autres composants SiC. Contrairement aux autres composants SiC, qui se dégradent quand ils sont utilisés en conditions extrêmes, les composants Microchip ne montrent aucune altération en termes de performances, augmentant ainsi la durée de vie de l’application. Les solutions SiC de Microchip sont leaders du marché sur le plan de la fiabilité et de la robustesse. 

Les tests de robustesse des diodes Schottky SiC de la société montrent une résistance à l’énergie 20 % supérieure dans les commutations inductives sans blocage (UIS, Unclamped Inductive Switching), et des courants de fuites parmi les plus faibles à des températures élevées, ce qui augmente la durée de vie du système en permettant un fonctionnement plus fiable. 

Outils de développement

Les composants SBD SiC certifiés AEC-Q101 de Microchip sont compatibles avec les modèles de simulation SPICE et PLECS ainsi qu’avec le simulateur MPLAB Mindi Analog Simulator. Il existe également un modèle de système de référence PLECS qui utilise les SBD de Microchip (1200 V, 50 A) appartenant à l’étage d’alimentation : le système de référence à correction de facteur de puissance (PFC) triphasé Vienna.

www.microchip.com

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