Des IGBT optimisés pour les applications dans les domaines du développement durable, de l’E-Mobilité et des centres de données
Pour répondre aux besoins croissants d’efficacité, de taille réduite et de performances accrues dans les systèmes électroniques de puissance, Microchip Technology a aggrandi son portefeuille de dispositifs IGBT 7, disponibles dans divers boîtiers, topologies et gammes de courant et de tension.
Avec une capacité de puissance accrue, des pertes de puissance réduites et des dimensions compactes, ce nouveau portefeuille est conçu pour répondre aux segments de marché à forte croissance tels que le développement durable, l’E-Mobilité et les centres de données. Ces composants IGBT 7 haute performance sont des éléments clés pour les applications d’alimentation dans les onduleurs solaires, les écosystèmes à hydrogène, les véhicules commerciaux et agricoles et More Electrical Aircraft (MEA…Plus d’aviation électrique).
Les concepteurs peuvent choisir une solution de puissance adaptée à leurs besoins. Les dispositifs IGBT 7 sont proposés en boîtiers standard D3 et D4 de 62 mm, ainsi qu’en boîtiers SP6C, SP1F et SP6LI. De nombreuses configurations sont disponibles dans les topologies suivantes : trois niveaux de clamp du point neutre (NPC), pont triphasé, hacheur boost, hacheur buck, double source commune, pont complet, jambe de phase, interrupteur unique et type T. Les appareils sont disponibles avec des tensions allant de 1200V à 1700V et des courants allant de 50A à 900A.
« La gamme polyvalente IGBT 7 associe la facilité d’utilisation et la rentabilité à une densité de puissance et une fiabilité accrue, offrant ainsi à nos clients une flexibilité maximale. Ces produits sont conçus pour des applications industrielles générales ainsi que pour des applications spécialisées dans l’aérospatiale et la défense », a déclaré Leon Gross, vice-président du groupe des produits discrets de Microchip. « En outre, nos solutions d’alimentation peuvent être intégrées à la vaste gamme de FPGA, microcontrôleurs (MCU), microprocesseurs (MPU), contrôleurs de signaux numériques dsPiC® (DSC) et dispositifs analogiques de Microchip afin de fournir une solution système complète à partir d’un seul fournisseur.
La tension IGBT collecteur-émetteur (Vce) à l’état passant plus faible, la diode antiparallèle améliorée (Vf plus faible) et la capacité de courant accrue permettent de réduire les pertes de puissance, d’augmenter la densité de puissance et d’accroître l’efficacité du système. Les boîtiers à faible inductance, combinés à une capacité de surcharge plus élevée à Tvj -175°C, font de ces dispositifs d’excellentes options pour la création d’applications aéronautiques et de défense robustes et à haute fiabilité – telles que la propulsion, l’actionnement et la distribution d’énergie – à un coût de système inférieur.
Pour les applications de commande de moteur où une meilleure contrôlabilité du dv/dt est importante, les dispositifs IGBT 7 sont conçus pour offrir une douceur en roue libre pour une commande efficace, souple et optimisée des commutateurs. Ces dispositifs de haute performance visent également à améliorer la fiabilité du système, à réduire les interférences électromagnétiques et à minimiser les pointes de tension.
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