Circuits drivers de MOSFET canal-N

Nouveaux produits | 25 mars 2018

Par Alain Dieul

Les nouveaux CI drivers à pompe de charge TCK401G (actif Haut) et TCK402G (actif-Bas) conviennent aux applications de charge mobile à courant élevé, lorsqu’ils sont associés à des MOSFET canal-N à faible R_DS(on). Ces CI drivers disposent de plusieurs fonctions de sécurité intégrées, notamment une protection contre les surtensions, une réduction de courant d’appel et une fonction de décharge automatique en sortie.

Fonctionnant à partir d’une tension d’entrée comprise entre 2,7 et 28V continu, ces dispositifs ne consomment que 121 µA au repos (I_Q). Les temps de commutation de tension de porte (V_GATE) sont respectivement de 0,58 ms (ON) et 16,6 ms (OFF).

Un circuit d’alimentation haut-rendement peut être obtenu en utilisant l’un de ces nouveaux drivers avec un ou deux MOSFET canal-N externes présentant une tension maximale et une résistance à l’état passant nominales, adaptées à l’application considérée. Par exemple, la combinaison d’un CI driver TCK40xG et d’un MOSFET SSM6K513NU à faible résistance à l’état passant, est parfaite pour les applications mobiles ou grand public, puisqu’elle permet d’obtenir une alimentation 100W avec un encombrement minimum.

Malgré leur haut niveau d’intégration, ces CI drivers se présentent toujours dans le petit boîtier WCSP6E leader du marché, qui ne mesure que 0,8 × 1,2 × 0,55 mm.

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