Boîtier TO-247 à 4 broches pour MOSFET de puissance
Dans les boîtiers TO-247 classiques à trois broches, l’induction parasite au niveau de la broche d’entrée entraîne des pertes accrues avec l’augmentation de la fréquence de commutation. Avec ce boîtier TO-247 4L, une broche signal source additionnelle joue le rôle de "source Kelvin". Grâce à elle, la dérivée de courant di/dt et le rendement sont augmentés. Par rapport au boîtier 3 broches, cette version 4 broches réduit la perte de commutation E (on) d’environ 15%.
Les puces DTMOSIV-H sont produites grâce à la technologie "Deep Trench" propriétaire qui assure une résistance à l’état passant RDS(on) plus faible aux températures élevées que celle des MOSFET super-jonction conventionnels. Cette technologie offre également des pertes de commutation à la coupure (E OSS) plus faibles que les technologies de génération précédente. La combinaison d’une moindre augmentation de RDS(on) aux températures élevées et de pertes E OSS réduites se traduit par un rendement plus élevé des alimentations, et un encombrement global réduit.
Ce boîtier TO-247 à 4 broches sera initialement utilisé sur quatre membres de la gamme DTMOSIV-H. Il s’agit des TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X et TK62Z60X qui offrent une tension V DSS de 600 V, avec des valeurs RDS(on) de 125 mOhm jusqu’à seulement 40 mOhm.
www.toshiba.semicon-storage.com
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
