Amplificateur RF de puissance GaN sur SiC haute performance

Amplificateur RF de puissance GaN sur SiC haute performance

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Développé par Qorvo à l'aide du procédé de fabrication de GaN sur carbure de silicium (SiC) en 0,25µm, l’amplificateur de puissance TGA2976-SM distribué par Mouser Electronics présente des performances large bande, une puissance de 10 W, un rendement en puissance ajoutée PAE (power added efficiency) et un gain exceptionnels.
Par Alain Dieul

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La technologie GaN supporte des densités de puissance radio fréquence (RF) cinq à six fois plus élevées que les amplificateurs RF en arséniure de gallium. Les performances et la fiabilité démontrées de cette technologie conviennent particulièrement pour les applications d’infrastructure, de défense et de l’aérospatiale telles que les radars, la guerre électronique, les communications, la navigation et applications équivalentes.
Cette augmentation des capacités offre aux concepteurs la flexibilité de réduire l’encombrement sur la carte et les coûts des systèmes tout en améliorant les performances de ceux-ci.

Sans plomb et conforme à la règlementation RoHS, ce composant présente des performances large bande exceptionnelles et accepte jusqu’à 40 V. Il fonctionne entre 0,1 et 3,0 GHz et fournit plus de 10 W de puissance de sortie saturée avec plus de 13 dB de gain en grands signaux et plus de 38% de PAE. En outre, il bénéficie d’une adaptation d’impédance à 50 ohms sur les deux ports RF, simplifiant l’intégration dans les systèmes.

Encapsulé en boîtier pour montage en surface QFN-14 de 4 x 4 mm à faible coût, cet amplificateur est bien adapté aux applications radar et communication utilisées dans le secteur de la défense et le secteur commercial.

www.mouser.com/qorvo-tga2976-sm-amplifier

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