184 millions d’Euros pour le GaN et le SiC de 200 mm à Hambourg
Nexperia va investir 184 millions d’euros sur son site de Hambourg, afin de stimuler la R&D et le développement de procédés pour les technologies de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) et de carbure de silicium (SiC) utilisant des plaquettes de 200 mm.
Dans le même temps, Nexperia prévoit d’augmenter la capacité de production de tranches de silicium de 200 mm pour les diodes et les transistors de puissance discrets également à Hambourg. Les trois technologies (SiC, GaN et Si) seront développées et produites en Allemagne à partir pour l’alimentation des centres de données. Les premières lignes de production de transistors à mode D en GaN à haute tension et de diodes en SiC viennent de démarrer.
Nexperia avait déjà annoncé un investissement important dans des réacteurs GaN pour Hambourg en 2021, dans le cadre d’un programme de 700 millions de dollars.
La prochaine étape sera la mise en place dans l’usine de Hambourg, au cours des deux prochaines années, de lignes de production modernes et rentables de 200 mm pour les MOSFET SiC et les HEMT GaN. ST, Infineon Wolfspeed, Mitsubishi et onsemi se concentrent tous sur la production de plaquettes de SiC de 200 mm et de dispositifs de puissance.
Parallèlement, l’investissement de Nexperia, dont le siège est aux Pays-Bas mais qui appartient à Wingtech Chine, permettra de poursuivre l’automatisation de l’infrastructure existante sur le site de Hambourg et d’accroître la capacité de production de silicium en passant systématiquement à des plaquettes de 200 mm. Après l’agrandissement des salles blanches, de nouveaux laboratoires de R&D sont en cours de construction afin de continuer à assurer une transition douce de la recherche à la production.
« Cet investissement renforce notre position en tant que fournisseur de premier plan de semiconducteurs à haut rendement énergétique et nous permet d’utiliser l’énergie électrique disponible de manière plus responsable », a déclaré Achim Kempe, directeur de l’exploitation et directeur général de Nexperia Allemagne.
« À l’avenir, notre usine de Hambourg couvrira la gamme complète des semi-conducteurs de WBG tout en restant la plus grande usine de diodes et de transistors pour petits signaux. Nous restons fidèles à notre stratégie qui consiste à produire des semi-conducteurs de haute qualité et rentables pour les applications standard et les applications à forte consommation d’énergie, tout en relevant l’un des plus grands défis de notre génération : répondre à la demande croissante d’énergie tout en réduisant l’empreinte écologique ».
Nexperia travaille en étroite collaboration avec des universités et des instituts de recherche afin de bénéficier de l’expertise de chacun et de promouvoir la formation d’employés hautement qualifiés. Elle s’appuie sur un solide écosystème de recherche et de développement à Hambourg et sur le programme d’affiliation industrielle (IIAP) du centre de recherche en nanoélectronique de l’imec en Belgique.
« L’investissement prévu nous permet d’implanter à Hambourg la conception et la production des puces WBG. Cependant, le SiC et le GaN ne sont en aucun cas des nouveaux domaines pour Nexperia. Les FET GaN font partie de notre portefeuille depuis 2019 et, en 2023, nous avons élargi notre gamme de produits aux diodes SiC et aux MOSFET SiC, ces derniers en collaboration avec Mitsubishi Electric. Nexperia est l’un des rares fournisseurs à proposer une gamme complète de technologies de semi-conducteurs, y compris Si, SiC et GaN en mode e et d. Cela signifie que nous offrons à nos clients un portefeuille unique pour tous leurs besoins en matière de semiconducteurs », a déclaré Stefan Tilger, directeur financier et directeur général de Nexperia Allemagne.
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