Une nouvelle génération de MOSFET de puissance superjonction

23 août 2018

Par Alain Dieul

Le premier dispositif de la série DTMOS VI est le TK040N65Z, un MOSFET 650V qui supporte des courants de drain (ID) jusqu’à 57A en continu, et jusqu’à 228A en impulsionnel (IDP). Le nouveau dispositif offre une résistance à l’état passant RDS(ON) ultra-faible de 0,04Ω (0,033Ω typique), qui réduit les pertes dans les applications de puissance. Ce dispositif amélioré est idéal pour les alimentations rapides modernes, compte tenu de leur capacitance réduite par conception.
Le rendement de l’alimentation est amélioré grâce à la réduction du facteur de mérite RDS(ON) x Qgd qui est un indicateur clé de performance. Le TK040N65Z montre une amélioration de 40% de cet indicateur par rapport au précédent dispositif DTMOS IV-H, ce qui se traduit par un gain significatif du rendement de l’alimentation, de l’ordre de 0,36%, comme mesuré dans un circuit PFC de 2,5 kW. Ce nouveau dispositif est logé dans un boîtier TO-247 au standard de l’industrie, qui assure la compatibilité avec les conceptions existantes, ainsi que l’adéquation aux nouveaux projets.

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