Transistors RF S-Band avec des composants GaN-on-SiC haute performance
Microsemi a amélioré son expertise pour ces transistors RF S-band afin de créer une famille de solution GaN-on-SiC parfaitement adaptée et répondant aux besoins des systèmes de prochaine génération qui demandent plus de puissance, plus d’efficacité, et une plus large bande, ce qui est impossible avec les technologies conventionnelles à base de silicium ou silicium sur puce. La technologie GaN-on-SiC avec son matériau à large bande ou " matériau grand Gap " permet de plus petits systèmes avec une tension améliorée, un plus fort gain, une plus grande performance de largeur de bande, plus d’efficacité de drain et une fiabilité à long terme, idéal pour les applications fonctionnant dans des bandes de fréquences jusqu’à 20GHz .
Les composants GaN-on-SiC de Microsemi possèdent une tenue en tension de drain bien au dessus de 350 V, leur permettant de fonctionner avec une dérivation de drain de 60 V tout en offrant, d’une manière significative, une plus grande fiabilité que les composants fabriqués selon la technologie LDMOS " laterally diffused metal oxide semiconductor ". La dérivation de drain la plus haute améliore la sortie de puissance crête tout en concédant des niveaux d’impédance plus conviviaux et une simplification du circuit au travers de toute la largeur de bande du système. Ils fournissent également plus de 13dB de gain de puissance et couvrent 400 MHz de largeur de bande.
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