Toshiba lance des MOSFET SiC 650 V ultra-compacts pour une densité de puissance accrue dans les systèmes industriels
Nouveaux produits
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Par
NicolasFeste
Toshiba Electronics Europe GmbH annonce la disponibilité en volume de ses nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) 650 V de 3e génération, conditionnés dans un boîtier DFN8x8 ultra-compact. Ces composants – modèles TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C et TW123V65C – sont conçus pour améliorer la densité de puissance et l’efficacité énergétique dans des applications industrielles exigeantes telles que les SMPS, les bornes de recharge pour VE, les UPS et les onduleurs photovoltaïques.
Leur faible facteur de mérite (RDS(ON) x Qgd), associé à un coefficient de température réduit, permet une réduction significative des pertes de commutation. Le boîtier DFN8x8, plus de 90 % plus compact que les boîtiers traditionnels TO-247, facilite l’assemblage automatisé et réduit l’impédance parasite.
Grâce à une connexion Kelvin dédiée, les performances de commutation sont optimisées. Le modèle TW054V65C, par exemple, affiche une réduction des pertes à l’allumage de 55 % et à l’extinction de 25 % par rapport aux générations précédentes.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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