Toshiba dévoile sa plateforme de développement FFSA 130 nm
La plateforme FFSA répond aux exigences des clients en termes de hautes performances et de faible consommation. Toutefois, en limitant la personnalisation aux seuls masques des couches métalliques, cette plateforme permet de réduire considérablement les coûts de développement. Par conséquent, les échantillons comme les dispositifs produits en série peuvent livrés dans des délais beaucoup plus courts que des ASIC conventionnels. Les clients utilisant la méthodologie de conception et la bibliothèque ASIC FFSA sont assurés d’obtenir de meilleures performances et une consommation moindre qu’avec des FPGA (Field Programmable Gate Array).
Le nouveau procédé FFSA 130 nm s’ajoute à l’offre actuelle de procédés 28, 40 et 65 nm de Toshiba, en offrant une option supplémentaire pour l’équipement industriel. Ce processus de fabrication 130 nm propose différentes tranches maîtresses avec jusqu’à 664 ko de RAM et environ 912.000 portes par dispositif. Les dispositifs conçus sur cette plateforme seront fabriqués par Japan Semiconductor, une filiale de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ce qui garantira la continuité d’approvisionnement.
toshiba.semicon-storage.com/eu/product/custom-soc/platform/ffsa.html
www.toshiba.semicon-storage.com
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