Toshiba améliore les performances des MOSFET de puissance avec son nouveau boîtier SOP Advance(E)
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Par
NicolasFeste
Toshiba Electronics Europe GmbH annonce le lancement de deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N, les TPM1R908QM (80 V) et TPM7R10CQ5 (150 V), intégrant le tout nouveau boîtier SOP Advance(E). Cette innovation permet une réduction significative de la résistance à l’état passant (RDS(ON)) et de la résistance thermique, améliorant ainsi l’efficacité énergétique des alimentation à découpage dans les centres de données, stations de base et équipements industriels.
Comparé à la génération précédente, le boîtier SOP Advance(E) réduit la résistance de 65 % et la résistance thermique de 15 %, ce qui se traduit par une baisse des pertes et une meilleure gestion thermique. Le TPM7R10CQ5 intègre également une diode de corps à haute vitesse, optimisant le redressement synchrone.
Toshiba propose également des modèles SPICE G0 et G2 pour faciliter la conception et la simulation des circuits d’alimentation. Ces nouveaux composants s’imposent comme des solutions de choix pour les ingénieurs à la recherche de performances thermiques et électriques optimisées.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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