TI convertit son usine japonaise de 200 mm au GaN
Texas Instruments a commencé à produire des semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) dans une usine de fabrication de plaquettes de 200 mm à Aizu, au Japon.
Avec la production à Dallas, au Texas, cela quadruplera la capacité de fabrication GaN de TI et lui permettra de réduire sa dépendance à l’égard de l’approvisionnement externalisé. TI a déclaré qu’elle prévoyait de pouvoir fabriquer 95 % de ses puces GaN en interne d’ici à 2030.
TI dispose d’un processus de fabrication propriétaire de GaN-on-Si et a porté la fabrication de composants de puissance GaN sur des wafers de 300 mm, bien qu’à Aizu la production se fasse sur des plaquettes de 200 mm de diamètre. Les processus élargis de fabrication de GaN de TI sont transférables à la technologie 300 mm, ce qui permet à l’entreprise de passer à la technologie 300 mm à l’avenir.
« S’appuyant sur plus d’une décennie d’expertise dans la conception et la fabrication de puces GaN, nous avons réussi à qualifier notre technologie GaN 200 mm – la façon la plus évolutive et la plus compétitive de fabriquer du GaN aujourd’hui – pour commencer la production de masse à Aizu », a déclaré Mohammad Yunus, vice-président senior de TI pour la technologie et la fabrication, dans un communiqué.
Les puces GaN commencent par des composants 900 V et passent à des tensions plus élevées au fil du temps, ce qui permet d’améliorer l’efficacité énergétique et la taille des innovations pour des applications telles que la robotique, les énergies renouvelables et les alimentations de serveurs.
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