SK Hynix fabrique une mémoire flash NAND à 321 couches
SK Hynix a annoncé que sa puce flash NAND à 321 couches a une capacité de mémoire de 1Tbit et sera disponible au cours du premier semestre 2025.
La société à déclaré que sa puce utilise des cellules mémoire à triple niveau, et qu’elle était le premier fournisseur de mémoire flash NAND avec plus de 300 couches. Ce résultat a été obtenu grâce à l’utilisation d’une nouvelle technologie appelée « three-plugs ». Le plot est un trou vertical à travers les couches de substrats visant à créer plusieurs cellules en un seul passage. Dans le cadre du processus, SK Hynix a mis au point un matériau à faible contrainte afin d’éviter que les plots ne déforment les plaquettes.
Le produit à 321 couches offre une amélioration de 12 % de la vitesse de transfert des données et de 13 % des performances de lecture, par rapport à la précédente flash NAND à 238 couches, qui a une capacité de mémoire de 512 Gbits. Il améliore également l’efficacité énergétique de la lecture des données de plus de 10 %, selon SK Hynix.
Sk Hynix va proposer des mémoires flash NAND de 1 Tbit pour les applications IA naissantes, qui nécessitent une faible consommation d’énergie et des performances élevées.
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
