Série de MOSFET à faible RDS(ON) en boîtier LGA
Avec le nombre de caractéristiques et de fonctions ajoutées aujourd’hui aux dispositifs portables, le temps de recharge de la batterie et l’autonomie sont d’un intérêt croissant. D’où le besoin de MOSFET de hautes performances, à un canal ou deux canaux, dans de petits boîtiers utilisés pour les fonctions de gestion de la consommation, de recharge et de protection. La série à canal P a donc été conçue pour les applications de chargeur et de commutation de charge tandis que la série à canal N est dédiée aux applications de protection de batterie et de charge de terminaux sans fil. Les dispositifs à MOSFET unique supportent un courant de drain de 12 A au maximum, alors que la version double MOSFET est spécifiée pour un courant maximum de 4 A. La technologie propriétaire UMOS-VI permet au MOSFET à canal P, référencé SSM6J505NU, d’atteindre un RDS(on) de 61 mΩ maxi avec une tension de commutation VGS de seulement 1,2 V. Selon les besoins de l’application, le concepteur peut choisir aussi bien dans la série canal P où les valeurs de résistance ON se situent entre 12 et 95 mohms pour une VGS de 4,5 V et la capacité d’entrée entre 290 et 2700 pF que dans la série canal N avec des valeurs de résistance ON entre 26 et 64 mΩ pour une VGS de 4,5 V et la capacité d’entrée entre 270 et 620 pF. Selon les applications ciblées, la valeur maximale de tension de drain peut monter à 20 V pour la série canal P et à 30 V pour la série à canal N.
Ces MOSFET simples et doubles à canal P sont respectivement référencés SSM6JxxxNU et SSM6PxxNU et, à canal N, SSM6KxxxNU et SSM6NxxNU.
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