Samsung renforce son activité de fonderie avancée
Grâce à une miniaturisation plus poussée, le 11LPP offre des performances supérieures de 15 % avec la même consommation d’énergie et une réduction de 10 % de la surface de puce par rapport au procédé initial 14LPP. En plus de la gravure FinFET de 10 nm pour les processeurs mobiles dans les smartphones haut de gamme, l’entreprise s’attend à ce que son procédé de 11 nm offre une valeur différenciée aux smartphones moyenne et haute gamme. La nouvelle technologie de gravure doit être prête pour la production au premier semestre 2018.
Samsung a également confirmé que le développement du 7LPP avec la technologie de lithographie EUV (ultraviolet extrême) se déroule selon les prévisions, la production initiale étant prévue pour le deuxième semestre 2018.
Depuis 2014, Samsung a traité près de 200 000 wafers avec la technologie de lithographie EUV. Fort de son expérience, il a récemment vu des résultats visibles en matière de développement de la gravure, en atteignant un rendement de 80 % pour la SRAM de 256 mégabits. « Le procédé 11 nm a été ajouté à notre feuille de route pour offrir des options avancées à diverses applications », a déclaré Ryan Lee, vice-président et directeur du marketing fonderie chez Samsung Electronics. « La feuille de route de Samsung est ainsi complète pour les trois années à venir en s’étendant de 14 nm à 11 nm, 10 nm, 8 nm et 7 nm ».
La mise à jour récente de la feuille de route fonderie de Samsung, notamment la disponibilité du 11LPP et le développement de l’EUV en 7 nm, sera détaillée au Samsung Foundry Forum Japan, le 15 septembre 2017 à Tokyo. Le Samsung Foundry Forum s’est tenu aux États-Unis et en Corée du Sud plus tôt cette année. Il présentait les technologies de gravure avancées de Samsung aux clients et partenaires du monde entier.
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