ROHM renforce sa capacité d’approvisionnement en dispositifs GaN grâce à l’intégration de la technologie de procédé de TSMC
Un système de production GaN de bout en bout au sein du groupe ROHM
ROHM annonce l’intégration de sa propre expertise en développement et fabrication de dispositifs de puissance GaN avec la technologie de procédé de TSMC, son partenaire de longue date.
Grâce à un accord de licence, ROHM pourra transférer la technologie GaN de TSMC dans ses installations de ROHM Hamamatsu, créant ainsi un système de production end‑to‑end intégralement maîtrisé en interne.
Objectif : répondre à une demande en forte croissance, notamment dans :
- les serveurs dédiés à l’IA,
- les chargeurs embarqués des véhicules électriques (EV),
- les alimentations haute efficacité nouvelle génération.
Pourquoi renforcer la production GaN ? Une demande en explosion
Les dispositifs de puissance GaN offrent :
- performances haute tension,
- commutations haute fréquence,
- rendu énergétique supérieur,
- réduction drastique de la taille des alimentations.
Déjà populaires dans les adaptateurs secteur grand public, les transistors GaN sont désormais indispensables aux applications haute puissance :
- unités d’alimentation pour serveurs IA,
- on‑board chargers EV,
- systèmes industriels compacts.
La demande augmentera fortement dans les années à venir, sous l’effet de la croissance massive
Un historique solide et une montée en gamme accélérée
ROHM a anticipé cette évolution :
- développement GaN initié très tôt,
- démarrage de la production de masse 150 V en 2022 (site de Hamamatsu),
- adoption d’un procédé GaN 650 V de TSMC depuis 2023,
- partenariat étendu fin 2024 sur le GaN automobile.
L’intégration actuelle marque une nouvelle étape : le transfert complet de la technologie de TSMC vers les lignes de ROHM.
Fin du partenariat automobile GaN et transition vers un modèle intégré
Une fois le transfert finalisé :
- l’accord GaN automobile spécifique sera conclu “dans l’harmonie”,
- ROHM internalisera totalement la chaîne de valeur GaN,
- les deux entreprises poursuivront leur collaboration technologique, notamment pour :
- améliorer le rendement énergétique,
- miniaturiser les alimentations,
- développer de nouvelles architectures GaN haute performance.
Cette actualité confirme que ROHM :
- sécurise son approvisionnement,
- réduit sa dépendance externe,
- augmente radicalement sa capacité de montée en volume,
- renforce la stabilité de la chaîne GaN face à une demande croissante,
- et s’aligne sur les besoins émergents des marchés IA et EV.
Pour les fabricants de systèmes électroniques haute puissance, c’est un signal clair : les solutions GaN ROHM seront disponibles à grande échelle, avec une maîtrise complète du procédé et une roadmap robuste.
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