Renesas dévoile ses FET GaN Gen IV Plus : une avancée majeure pour la conversion de puissance haute densité
Renesas Electronics renforce sa position de leader dans le domaine de la puissance avec le lancement de trois nouveaux transistors FET GaN 650 V de quatrième génération Plus (Gen IV Plus). Conçus pour répondre aux exigences croissantes des centres de données IA, des systèmes industriels et des infrastructures de recharge, ces composants s’appuient sur la technologie SuperGaN éprouvée pour offrir une efficacité thermique exceptionnelle et une perte de puissance minimale.
Des performances de nouvelle génération
Les modèles TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS et TP65H030G4PQS sont optimisés pour les applications multi-kilowatts, notamment les architectures HVDC 800 V, les onduleurs solaires, les systèmes UPS et le stockage d’énergie. Grâce à une conception en mode de déplétion (d-mode) normalement désactivée, ces FET offrent une compatibilité avec les pilotes standards en silicium, simplifiant ainsi leur intégration dans les conceptions existantes.
Efficacité, compacité et flexibilité
Avec une puce 14 % plus petite que la génération précédente, ces nouveaux FET atteignent une RDS(on) de seulement 30 mΩ, tout en améliorant de 20 % le produit figure de mérite (FOM). Disponibles dans des boîtiers TOLT, TO-247 et TOLL, ils permettent une gestion thermique optimisée et une densité de puissance accrue, jusqu’à 10 kW et plus grâce au parallélisme.Avec plus de 20 millions de composants GaN déjà livrés, Renesas confirme son engagement à fournir des solutions de puissance complètes, fiables et prêtes pour les défis de demain. Ces nouveaux FET Gen IV Plus marquent une étape clé vers des systèmes plus compacts, plus efficaces et plus durables.
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