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Relais PhotoMOS faible encombrement

Relais PhotoMOS faible encombrement

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Par eeNews Europe



C’est en particulier dans le domaine des applications de mesure que la commutation de charges haute fréquence requiert une capacité de sortie C la plus faible possible au contact ouvert, combinée à une résistance ON réduite au contact fermé. L’optimisation de la capacité et de la résistance des transistors offre cette possibilité. Ainsi, la capacité de sortie typique du AQY221R2T (T = VSSOP) est de 14 pF et la résistance ON est d’à peine de 0,8 Ohm. De plus, le nouveau PhotoMOS RF VSSOP CxR10 se distingue également par un temps de commutation réduit (typique de 0,1ms), une tension d’isolement des E/S élevée (200V AC) et un courant de fuite faible (typique de 20pA). Le pouvoir de coupure maximum est de 40VAC/ 250mA. Ce relais est parfaitement adapté aux applications exigeant à la fois une extrême fiabilité et une longue durée de vie ainsi qu’une densité de montage élevée.

www.panasonic-electric-works.fr

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