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Préamplificateur à gain et puissance de sortie élevés

Préamplificateur à gain et puissance de sortie élevés

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Par eeNews Europe



De haute intégration, ce circuit réduit également le nombre de composants nécessaires pour atteindre à la fois la puissance de sortie et le gain en petit signal désirés, ce qui abaisse les coûts de développement et raccourcit les délais de conception en simplifiant la chaîne de transmission et en augmentant le niveau d’intégration.
Conçu à base de transistors GaAs type pHEMT (pseudomorphic High-Electron Mobility Transistor), ce préamplificateur convient particulièrement aux systèmes de communications civils et militaires tels que les radios point-à-point et point-à-multipoints, ainsi que les applications VSAT et SATCOM. Il est capable de produire une puissance de sortie saturée de 25 dBm avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 16 %.
Encapsulé en boîtier céramique leadless 24 contacts de 4 x 4 mm pour montage en surface (CMS), ce circuit nécessite une alimentation +5 V de seulement 225 mA.

www.analog.com/HMC1131

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