Photocoupleur driver de grille à courant de sortie crête 2,5A
L’adoption du boîtier SO8L permet d’obtenir un dispositif de seulement 2,3 mm d’épaisseur, soit environ 54% de moins que les produits Toshiba actuels en boîtiers SDIP6 ou DIP8. Le boîtier SO8L convient bien aux applications modernes, au sein desquelles l’épaisseur et la place disponibles sont souvent limitées.
Malgré sa petite taille, ce CI offre une tension d’isolement (BVS) de 5.000Veff et garantit des distances de fuite et de dégagement d’au moins 8,0 mm, ce qui en fait un candidat parfait pour les applications nécessitant de bonnes performances d’isolement, notamment les projets à sécurité critique.
En outre, ce nouveau TLP5832 garantit un temps de propagation (tPLH, tPHL) de 200 ns, avec un biais de propagation (tPsk) de ± 80 ns sur toute la plage de température opérationnelle de -40°C à +110°C. Par conséquent, il permet de concevoir des inverteurs à haut rendement, en réduisant les marges de conception liées à la température.
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