Photo-relais Toshiba forte intensité
Les photo-relais offrent aux ingénieurs d’études une vitesse de commutation élevée, une très bonne fiabilité, une faible consommation, et un fonctionnement silencieux ; le tout dans un encombrement minimum, ce qui en fait d’excellents candidats pour remplacer les relais mécaniques. Composé d’un phototransistor MOSFET couplé optiquement à une LED infrarouge, ce nouveau photo-relais qui fait appel à la toute dernière génération de MOSFET Toshiba, autorise un courant de passage 40% plus élevé que le produit Toshiba existant, TLP3103. Cette performance, associée à un courant de sortie maximum de 3.3A, permettra d’accélérer le remplacement des relais mécaniques dans les applications à forte densité. Remplacer un boîtier DIP supportant 3A par un boîtier 2.54SOP6, réduit en effet la surface occupée de 40% et le poids de moitié. Les autres caractéristiques sont notamment un courant de déclenchement de LED de 3 mA (maxi) ; une tension en sortie à l’état bloqué jusqu’à 60V (mini) ; et une tension d’isolement de 1500 Veff (mini).
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