MOSFETs à commutation rapide, insensibles à la température
Logé dans le plus petit boîtier de la série, un DPAK (TO-252), le TK5P60W5 se caractérise par un courant de drain ID de 4.5 A et une résistance à l’état passant RDS(ON) de 0,99 Ohm. Il offre un temps de reprise inverse de diode "trr" typique de 65 ns. La capacité d’entrée Ciss de 370 pF et la charge de grille QG de seulement 11.5 nC favorisent une commutation à haut rendement.
Présenté en boîtier 3 broches TO-247 et caractérisé par une RDS(ON) de 0,045 Ohm, le TK62N60W5 est le MOSFET le plus puissant de la série. Il supporte un courant de sortie maximum ID de 61,8 A. Son "trr" typique de diode est de 170 ns, sa Ciss de 6500 pF et sa QG de 250 nC.
Ces puces DTMOS IV-H sont produites en technologie Deep Trench propriétaire qui garantit une faible résistance à l’état passant RDS(ON) aux températures élevées, par rapport aux MOSFET super-jonction conventionnels. Cette technologie offre également des pertes de commutation EOSS plus faibles que les technologies de génération précédente. La combinaison d’une plus faible augmentation de RDS(ON) aux températures élevées et d’un "trr" de diode inférieur se traduit par un rendement plus élevé, tout en donnant aux concepteurs la possibilité de minimiser les dimensions système.
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