MOSFET RY7P250BM de ROHM pour les serveurs IA et les centres de données
Nouveaux produits
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Par
NicolasFeste
Mouser Electronics annonce la disponibilité du MOSFET de puissance RY7P250BM de ROHM Semiconductor, conçu pour les circuits d’échange à chaud dans les systèmes d’alimentation 48 V des serveurs IA, centres de données et applications industrielles.
Cette robustesse garantit une fiabilité accrue et une réduction des pertes de puissance, essentielle pour les systèmes IA haute densité.
Caractéristiques clés :
- RDS(on) ultra-faible : 1,86 mΩ (VGS=10 V, ID=50 A, Tj=25 °C), soit 18 % de moins que les MOSFET conventionnels.
- Zone de fonctionnement sûr (SOA) étendue pour résister aux tensions élevées et aux courants d’appel.
- Performances stables sous charges lourdes : 16 A pendant 10 ms et 50 A pendant 1 ms.
- Compatibilité avec les conceptions existantes, permettant un remplacement direct.
Mouser Electronics | ROHM Semiconductor
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