MOSFET en boîtier miniature pour l’automobile
Tous ces dispositifs sont spécifiés jusqu’à 175 °C et présentent de faibles résistances à l’état passant et des capacitances d’entrée très basses, ce qui se traduit par des pertes de conduction et de commutation minimes. Les boîtiers SOP Advance et TSON Advance disposent d’un drain thermique métallique qui leur permet de mieux évacuer la chaleur que les boîtiers conventionnels de type SOP-8. Les SOP Advance conviennent aux applications qui utilisaient traditionnellement des DPAK alors que les TSON Advance et PS-8 pourront remplacer les dispositifs SOP-8 pour gagner de la place.
Les MOSFET TPCA8xxx en boîtier SOP Advance offrent des tensions et des courants nominaux jusqu’à +60 V et 40 A pour les dispositifs Canal-N, et jusqu’à -60 V et -35 A pour les dispositifs Canal-P. La série TPCC8xxx en boîtier TSON Advance offre des tensions jusqu’à +60/-60 V, et des courants jusqu’à +30/-30 A. Les modèles TPCP8xxx Canal-N en boîtier PS-8 existent en version simple canal +60 V, 10 A, et en version deux canaux 40 V, 5 A, alors que les versions Canal-P supportent des tensions jusqu’à -60 V et des courants jusqu’à -8 A. En outre, un dispositif combinant un MOSFET Canal-N 40 V, 5 A, et un Canal-P -40 V, -4 A, peut également être fourni dans un même boîtier ultra-miniature PS-8.
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