MOSFET de puissance Superjunction 600V miniatures
Avec des courants nominaux allant de 9.7A à plus de 30A, les nouveaux MOSFET 600V de la famille TKxV60W offrent des résistances à l’état passant (RDS(ON)) allant de 0.38Ω à seulement 0.098Ω. Le facteur de mérite RDS(ON)*Qg assure une commutation à haut-rendement, tandis que la faible capacitance de sortie (Coss) permet un fonctionnement optimal avec de faibles charges. Chaque dispositif intègre également une broche de détection pour la connexion directe d’un driver.
Le processus DTMOS-IV de Toshiba produit des transistors MOSFET avec un meilleur coefficient de température RDS(ON) que les dispositifs concurrents. Cela permet d’obtenir de meilleurs rendements, même aux températures élevées. Comme les autres dispositifs de la famille Toshiba DTMOS-IV, ces nouveaux MOSFET DFN ont une capacitance porte-drain (Cgd) optimisée, offrant un meilleur contrôle de commutation dv/dt. Le support de valeurs dv/dt plus faibles, permet aussi de réduire la tendance aux oscillations dans les circuits à commutation rapide. Avec ses 8 x 8 mm, l’encombrement du module DFN est 20% plus faible que celui d’un module D2PAK. Son épaisseur de 0.85 mm seulement est près de trois fois inférieure à celle d’un DPAK classique, et plus de cinq fois inférieure à celle d’un D2PAK.
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