MOSFET de puissance en boîtier PQFN 2×2 mm ultra-compact
Occupant une surface de seulement 4 mm², ces composants en PQFN 2×2 mm sont disponibles en versions 20 V, 25 V et 30 V, avec une commande de grille standard ou à niveau logique. Ils tirent parti des dernières technologies silicium canal N et canal P basse tension d’IR pour offrir une faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et une forte densité de puissance comparable à celle obtenue en boîtier PQFN de 3,3×3,3 mm ou 5×6 mm. Cette famille comprend des composants canal P optimisés pour la commutation de charge côté haut, constituant une solution de commande simple. Dotés d’une faible épaisseur inférieure à 1 mm, ces circuits sont compatibles avec les techniques de montage en surface classiques, présentent un encombrement standard et sont conformes RoHS.
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