MOSFET canal-N 60 V et 100 V, pour l’automobile
Ces deux transistors MOSFET canal-N conviennent donc particulièrement pour la gestion d’énergie, notamment les convertisseurs DC-DC ou la commutation de charge qui sont des applications de plus en plus importantes pour les systèmes électroniques toujours plus nombreux dans les véhicules.
En effet, la demande croissante du marché en faveur de LED frugales en énergie entraine, elle-même, une forte croissance des besoins en transistors MOSFET canal-N qui servent de commutateurs dans les drivers de LED. Ces deux transistors de 60 V et 100 V en petits boîtiers répondent à cette demande avec des valeurs typiques de résistance à l’état passant RDS(ON) de respectivement 36 mohms et 65 mohms, à la tension de source VGS de 4.5 V, valeurs qui sont parmi les meilleures dans la catégorie. En outre, ces deux dispositifs supportent une température maximum de canal de 175 °C, ce qui autorise une utilisation très large dans toute une gamme d’applications automobiles.
Ces deux MOSFET réduisent la dissipation thermique résultant des pertes à l’allumage d’environ 65% par rapport au SSM3K318R, précédent produit de la gamme. En outre, ils sont conditionnés en boîtiers SOT-23F à sorties à plat qui réduisent l’empreinte sur carte d’environ 64% par rapport à un boîtier SOT-89 conventionnel, tout en conservant un niveau de dispersion maximal de 2.4 W.
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