MOSFET Canal-N 40 V à faible RDS(ON) pour applications automobiles
Ce transistor MOSFET se caractérise par une des plus faibles RDS(ON) du marché des boîtiers CMS à 3 broches pour l’automobile avec seulement 0.6 milliohm typique et 0.74 milliohm maxi. Cette faible résistance a pu être obtenue en associant le processus propriétaire « Trench » de 9ème génération, « U-MOS IX », et le boîtier unique TO-220SM(W). Ce dernier est doté d’une broche Source plus large et plus courte que les boîtiers D2PAK (TO-263) conventionnels, et son empreinte plus petite contribue à réduire la taille des cartes.
Ce circuit convient à de nombreuses applications automobiles haute- puissance comme les convertisseurs DC-DC, les directions à assistance électrique EPS ou les commutateurs de charge. Il répondra aux exigences de qualification automobile AEC-Q101.
www.toshiba.semicon-storage.com
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :