MOSFET basse tension en boîtiers à haut rendement thermique
Le boîtier DSOP Advance partage la même empreinte de 5 x 6 mm que les dispositifs SOP Advance. Lors de tests comparatifs, en utilisant un radiateur approprié, les températures de fonctionnement ont pu être réduites de plus de 34% pour des MOSFET 30 V fonctionnant avec des courants de plus de 30 A. En outre, la résistance thermique réduite de ce boîtier permet, dans certains cas, de se passer de radiateur.
Ces boîtiers seront proposés sur sa famille de MOSFET existante UMOS VIII-H et sur celle de dernière génération UMOS IX-H. Ces transistors combinent une des plus faibles résistances à l’état passant RDS(on) du marché et une très faible capacitance de sortie pour offrir des performances de commutation assurant un très haut rendement. Un certain nombre de MOSFET avec des tensions nominales comprises entre 30 V et 100 V pourront également être équipés de ce boîtier.
Les applications ciblées par ces produits sont notamment les projets de commutation hautes-performances avec une densité de puissance élevée, notamment les circuits de redressement synchrones présents dans les alimentations de serveurs ou d’équipements de télécommunication, ainsi que l’outillage électroportatif.
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :