MOSFET automobile à ultra faible RDS(ON)
Ce MOSFET se distingue par une résistance à l’état passant RDS(ON) de seulement 1.35 mOhm maxi avec une tension de grille VGS de 10 V soit, actuellement, la plus faible valeur du marché. Ceci est le fruit de la technologie de tranchée propriétaire UMOS9 qui minimise la valeur RDS(ON) x A, et du conditionnement DPAK+ qui réduit la résistance du boîtier par rapport à un DPAK conventionnel.
Compatible avec les conceptions à base de DPAK standard, ce boîtier DPAK+ ne mesure que 6.5 x 9.5 mm et dispose de la technologie "copper clip" qui remplace les connexions "bondwire" (fil collé) traditionnelles par des clips en cuivre. Ces derniers offrent une grande surface de contact et sont montés directement sur la métallisation de la puce.
Ce modèle est également plus performant que les générations précédentes, tant au niveau compatibilité électromagnétique (CEM) qu’au niveau commutation.
www.toshiba.semicon-storage.com
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