MOSFET à super jonction, basse consommation
Ces transistors MOSFET canal N se caractérisent par une tension drain-source de 600 V pour des courants respectifs de 20 A, 30 A, 47 A et 68 A et une tension de grille de 30 V.
Contrairement à la structure planaire classique, leur structure à super jonction permet de réduire considérablement la valeur de la résistance à l’état passant Rds(on) sans diminuer la tenue en tension du transistor, ce qui minimise significativement la consommation. De plus, la conception de surface de cette structure a été optimisée pour réduire les pertes de conduction et de commutation.
Face à une prise de conscience environnementale mondiale de plus en plus marquée, Fuji a développé la série Super J-MOS pour améliorer le rendement énergétique des appareils électroniques. Le développement a été dirigé particulièrement sur l’amélioration de l’efficacité et la conversion de courant dans de multiples applications telles que serveurs, systèmes d’alimentation non interruptibles, équipements de diffusion et conditionneurs d’alimentation pour cellules photovoltaïques.
Ces composants sont encapsulés en boîtier TO247 et fonctionnent dans la gamme de température de -50 °C à +150 °C.
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