MOSFET 40 V à forte densité de puissance
Le boîtier de puissance breveté DirectFET2 en Can moyen à dissipation sur deux côtés délivre d’excellentes performances thermiques et une faible inductance parasite. Tirant le meilleur de la technologie silicium propriétaire COOLiRFET, ce MOSFET de 40 V calibré à 137 A minimise les pertes en conduction grâce à sa résistance à l’état passant Rds(on) de seulement 1.3 mOhm, améliorant les performances de 40 % à taille de boîtier équivalent ou offrant des performances similaires à un composant encapsulé dans un boîtier 50 % plus petit.
Répondant aux standards AEC-Q101, ce circuit est bien adapté aux applications automobiles telles que la direction assistée, le freinage et les pompes à commande électrique qui nécessitent une densité de puissance supérieure dans un encombrement compact. Il utilise des matériaux conformes RoHS, 100 % sans plomb et respectueux de l’environnement, et fait partie de l’initiative de qualité automobile du constructeur visant le zéro défaut.
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