MOSFET 30V miniatures à faible Rds(on)
Ces deux séries de MOSFET 30V s’appuient sur le processus propriétaire de huitième génération U-MOSVIII-H et se présentent respectivement en boîtiers CMS miniatures TSON Advance de 3 x 3 mm et SOP Advance de 5 x 6 mm. Les applications ciblées sont notamment les convertisseurs DC-DC, isolés ou non, et les circuits de gestion d’énergie pour lesquels basse consommation, commutation rapide et encombrement minimum sur le circuit imprimé sont des critères de conception déterminants.
A 10 V, les cinq circuits de la série TPN présentent des Rds(on) typiques de 9.4 mohms à 2.2 mohms, et des valeurs Ciss typiques de 630 pF à 1600 pF. Les sept circuits de la série TPH présentent, quant à eux, des Rds(on) typiques à 10 V allant de 9.4 mohms à seulement 0.77 mohms. Leurs valeurs typiques de Ciss vont de 510 pF à 5300 pF.
Le processus de gravure UMOS de huitième génération a permis des progrès considérables au niveau du compromis entre Rds(on) et Ciss. Ceci assure la réduction des pertes au niveau des circuits de conduction et de pilotage, et aussi, améliore les vitesses de commutation tout en réduisant au maximum le bruit rayonné. Les transistors MOSFET utilisant ce processus permettent d’améliorer le rendement et l’encombrement général des applications cible sans compromettre les performances.
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